Ск пласт: Оборудование для водоснабжения и газоснабжения СК Пласт

alexxlab
21.03.2023
Комментарии: 0

Содержание

Оборудование для водоснабжения и газоснабжения СК Пласт

КатегорииГазоснабжение Детали газопровода Ковера Лента сигнальная/таблички/указатели Пожарная арматура Гидранты Труба ПНД Газопроводные трубы Трубы SDR 11 (1,0 МПа) Трубы SDR 13,6 (0,6 МПа) Трубы SDR 17,6 (0,6 МПа) Трубы SDR 9 (1,2 МПа) Сварочный инструмент, аксессуары Скребок Муфты кольца Труборезы/Сварочный инструмент, аксессуары Труборезы Фитинги (ПНД, ПЭ) Литые Заглушка литая Отвод 45 литой удлиненный Отвод 90 литой удлиненный Переход литой короткий Переход литой ступенчатый Переход литой удлиненный Тройник литой удлиненный Электросварные фитинги Euro Standart Влажные салфетки для PE труб Заглушка электросварная Муфта переходная электросварная на латунь Муфта эл. сварная редукционная Муфта эл.сварная SDR 11/17 Отвод 45г, Отвод 90г, Отвод 30г Седелка с фрезой электросварная Седелочный отвод э/сварной Тройник равносторонний Тройник редукционный Шаровый кран Polytec Электросварные фитинги Tega Вентиль для врезки под давлением Заглушка электросварная Муфта электросварная Отвод электросварной 45° Отвод электросварной 90° Патрубок-накладка Переход электросварной Седелка электросварная с фрезой Седелка электросварная с фрезой (поворотная) Седловой отвод (без фрезы) Тройник редукционный Тройник электросварнойВодоснабжение Запорная арматура Задвижка чугунная с обрезиненным клином ЗЧ 30ч39р Запорно-соединительная арматура Dendor Воздухоотводчики Демонтажные вставки Задвижки чугунные Задвижки шиберные Затворы Клапаны обратные Компенсатор резиновый Компенсатор фланцевый Краны Ремонтно соединительная арматура Фильтры для трубопровода Хомуты ремонтные Шкафы электротехнические Электроприводы для запорной арматуры Элементы трубопровода Напорные системы водоснабжения и водоотведения Напорные трубы SDR 11 Напорные трубы SDR 13,6 Напорные трубы SDR 17 Напорные трубы SDR 17,6 Напорные трубы SDR 21 Напорные трубы SDR 26 Напорные трубы SDR 9 Труба ПНД Водопроводные трубы Трубы SDR 11 ( 16 атмосфер ) Трубы SDR 13,6 ( 12 атмосфер ) Трубы SDR 17 ( 10 атмосфер ) Трубы SDR 21 ( 8 атмосфер ) Трубы SDR 26 (6 атмосфер ) Канализационные трубы Муфты кольца Фланцы Ремонтно соединительная арматура (ДРК, ПФРК) Демонтажные вставки Доуплотнители раструбных соединений(РУРС) ДРК ПЭ Муфта ремонтная Муфты соединительные фланцевые (ПФРК) ПФРК ПЭ Универсальные ДРК Универсальные ПФРК Сварочный инструмент, аксессуары Скребок Муфты кольца Труборезы/Сварочный инструмент, аксессуары Труборезы Фитинги (ПНД, ПЭ) Компрессионные детали (фитинги) Заглушка Ключ компрессионный Компрессионный седловой отвод Муфта переходная Муфта с внутренней резьбой Муфта с наружной резьбой Муфта соединительная Отвод 90 Отвод с внутренней резьбой Отвод с наружной резьбой Тройник Тройник неравнопроходный Тройник с внутренней резьбой Тройник с наружной резьбой Фланцевое соединение Шаровый кран Краны полиэтиленовые шаровые Tega Литые Втулки литые удлиненные Втулки литые укороченные Заглушка литая Отвод 45 литой удлиненный Отвод 90 литой удлиненный Переход литой короткий Переход литой ступенчатый Переход литой удлиненный Тройник литой удлиненный Сварные (сегментные) фитинги Втулка сварная удлиненная Крестовина сварная Отвод 45° сварной Отвод 5-35° сварной Отвод 60° сварной Отвод 90° сварной трехсекционный Отвод 90° сварной четырехсекционный Переход сварной удлиненный Тройник «косой» равнопроходной 45° Тройник сварной неравнопроходной (через переход) Тройник сварной равнопроходной Электросварные фитинги Euro Standart Влажные салфетки для PE труб Заглушка электросварная Муфта переходная электросварная на латунь Муфта эл. сварная редукционная Муфта эл. сварная SDR 11/17 Отвод 45г, Отвод 90г, Отвод 30г Седелка с фрезой электросварная Седелочный отвод э/сварной Тройник равносторонний Тройник редукционный Шаровый кран Polytec Электросварные фитинги Tega Вентиль для врезки под давлением Заглушка электросварная Муфта электросварная Отвод электросварной 45° Отвод электросварной 90° Патрубок-накладка Переход электросварной Седелка электросварная с фрезой Седелка электросварная с фрезой (поворотная) Седловой отвод (без фрезы) Тройник редукционный Тройник электросварной

СК Пласт (Краснодар) — официальный сайт, адрес, телефон — ID132941

Пожаловаться

Контакты СК Пласт

Телефон: +7 (918) 041-81-07, +7 (900) 288-04-56, +7 (900) 290-05-38
Email: Написать
Веб-сайт: Перейти

Представитель компании на сайте: СК Пласт (СК Пласт)
Фактический адрес: г. Краснодар, проезд Майский, 5

СК Пласт расположена по адресу г. Краснодар, проезд Майский, 5. Юридический адрес компании: . Основными видами деятельности СК Пласт являются: Сварочные инверторы, Угольник, Клапаны обратные, Переход, Шкафы электротехнические .

На сайте Проминдекс можно связаться с представителем организации СК Пласт (СК Пласт) по телефону: +7 (918) 041-81-07, +7 (900) 288-04-56, +7 (900) 290-05-38 или по электронной почте Написать. На официальном сайте СК Пласт, указанном в контактах, узнайте подробную информацию о деятельности и режиме работы организации.

Описание

Продажа запорной арматуры “Dendor”, труба ПНД, фитинги.

СК Пласт на карте

Телефонные номера с этой страницы: 79180418107, 79002880456, 79002900538

На сайте с 15 авг 2017

Новые товары и услуги компании

105 объявлений

Все объявления компании

Отзывы о СК Пласт

Сферы деятельности СК Пласт

SK hynix получает номинальное преимущество в 6 слоев по сравнению с Micron и YMTC.

Блоки и файлы

Это на 35 процентов больше слоев, чем у существующего 176-слойного продукта. 238-слойная технология была впервые публично представлена в апреле этого года и имеет меньшую площадь чипа, чем модель 176L.

Юнгдал Чой (Jungdal Choi), глава отдела разработки NAND в SK hynix, заявил сегодня в программной презентации на саммите по флэш-памяти: «SK hynix обеспечила себе конкурентоспособность на высшем уровне с точки зрения стоимости, производительности и качества, представив 238 многослойный продукт, основанный на технологиях 4D NAND».

238-слойная микросхема TLC NAND SK hynix

Термин 4D относится к тому, что SK hynix размещает периферийные логические схемы микросхемы NAND под ячейками хранения — пери-под ячейкой (PUC). Western Digital и Kioxia имеют аналогичную конструкцию, называемую Circuit Under Array, в то время как YMTC помещает свою периферийную схему поверх стека NAND, создавая ее в отдельном процессе CMOS, а затем связывая ее с NAND. Этот дизайн называется Xtacking.

238-слойная технология SK hynix производит микросхемы емкостью 512 Гбит/с с пропускной способностью 2,4 Гбит/с, что на 50 % больше, чем у 176-слойного продукта. Количество электроэнергии, используемой при доступе для чтения к чипу, уменьшилось на 21% по сравнению с 176-слойными чипами.

238-слойный кристалл использует технологию улавливания заряда, как и Kioxia и Western Digital, Micron и Samsung. Solidigm опирается на более старую технологию плавающих ворот. Технология Charge trap основана на хранении электронов в пленке нитрида кремния. Технология с плавающим затвором содержит электроны в легированном поликристаллическом кремнии и требует большего количества технологических операций при ее производстве.

Массовое производство 238-слойных кристаллов SK Hynix должно начаться в первой половине 2023 года. Первоначально 238-слойные чипы будут использоваться в клиентских твердотельных накопителях для ПК, а затем станут доступны для смартфонов и серверных твердотельных накопителей большой емкости. В следующем году SK hynix выпустит 238-слойные чипы емкостью 1 терабит, которые помогут с серверными твердотельными накопителями большой емкости.

Дочерняя компания SK hynix Solidigm, как мы думаем, разрабатывает 196-слойную технологию. Samsung V-NAND 8-го поколения имеет 236 слоев. Kioxia и Western Digital находятся на уровне 212 слоев. YMTC работает над 232-уровневой технологией, как и Micron, и это дает SK hynix ее номинальное 6-уровневое преимущество, хотя само по себе это не имеет большого значения, поскольку ее конкуренты также будут производить 512-гигабитные чипы.

Побочная головная боль для SK hynix заключается в том, что у нее есть завод DRAM в Уси, Китай, а правительство США ужесточает ограничения на экспорт технологий в Китай. Это было дополнением к принятому на прошлой неделе Закону о чипах и науке, разрешающему гранты на сумму до 52 миллиардов долларов для стимулирования производства полупроводниковых микросхем в США. Компании, получающие деньги из этого фонда, не должны поддерживать производство полупроводников в Китае ниже уровня 28 нм в течение 10 лет. Фактически это означает, что завод SK hynix в Уси не может быть модернизирован с использованием более продвинутой технологии производства DRAM. Это не оказывает прямого влияния на фабрики NAND компании, но, если она перенесет производство DRAM из Китая, поскольку она наращивает свое присутствие в США, связанные с этим расходы могут ограничить ее деятельность в области NAND.

SK hynix разрабатывает самую мощную в мире 238-слойную флэш-память 4D NAND

Основные новости

Первая в мире 238-слойная флэш-память TLC 4D NAND емкостью 512 Гбит, разработанная в июле; Ожидается, что серийное производство начнется в первой половине 2023 года
Предоставление продукта NAND самого высокого и компактного размера при значительном повышении производительности, скорости передачи данных и эффективности энергопотребления

«Будем продолжать инновации, чтобы найти прорыв в технологических задачах»

Компания SK hynix Inc. (или «компания», www. skhynix.com) сегодня объявила о разработке самого высокого в отрасли 238-слойного продукта NAND Flash.

Недавно компания отправила клиентам образцы 238-слойной трехуровневой ячейки 512 Гбит (TLC) ¹ 4D NAND с планом начать массовое производство в первой половине 2023 года. «Последнее достижение последовало за разработкой 176-слойный продукт NAND в декабре 2020 года», — заявили в компании. «Примечательно, что новейший 238-слойный продукт является одновременно самым многослойным и наименьшим по площади».

Компания представила разработку новейшего продукта на Flash Memory Summit 2022

2 в Санта-Кларе. «SK hynix обеспечила глобальную конкурентоспособность высшего уровня с точки зрения стоимости, производительности и качества, представив 238-слойный продукт на основе своих технологий 4D NAND», — сказал Юнгдал Чой, руководитель отдела разработки NAND в SK hynix, в своем программном выступлении на мероприятии. . «Мы продолжим инновации, чтобы найти прорыв в технологических задачах».

С момента разработки 96-слойного продукта NAND в 2018 году компания SK hynix представила серию 4D-продуктов, которые превосходят существующие 3D-продукты. Компания применила ловушку заряда flash ³ и пери под ячейкой ⁴ технологии изготовления чипов с 4D-структурами. Продукция 4D имеет меньшую площадь ячеек на единицу по сравнению с 3D, что приводит к более высокой эффективности производства.

Этот продукт, несмотря на то, что имеет максимальное количество слоев 238, имеет наименьший размер NAND, что означает, что его общая производительность увеличилась на 34% по сравнению с 176-слойной NAND, поскольку из каждого может быть изготовлено больше чипов с более высокой плотностью на единицу площади. вафля.

Скорость передачи данных 238-слойного продукта составляет 2,4 Гбит/с, что на 50 % больше, чем у предыдущего поколения. Объем энергии, потребляемой для чтения данных, снизился на 21%, что также соответствует обязательствам компании по ESG.

238-уровневые продукты будут сначала применяться для клиентских твердотельных накопителей, которые используются в качестве устройств хранения данных для ПК, а затем будут предоставлены для смартфонов и твердотельных накопителей большой емкости для серверов. В следующем году компания также представит 238-слойные продукты емкостью 1 терабит (Тб), плотность которых удвоится по сравнению с текущим продуктом 512 Гбит.

¹ Трехуровневая ячейка (TLC): Продукты NAND Flash подразделяются на одноуровневые, многоуровневые, трехуровневые, четырехуровневые и пятиуровневые в зависимости от количества информации (единица измерения: бит). содержится в одной ячейке. То, что ячейка содержит больше информации, означает, что больше данных может быть сохранено в той же области.

² Саммит по флэш-памяти (FMS): крупнейшая в мире конференция, посвященная индустрии флэш-памяти NAND, ежегодно проводится в Санта-Кларе. Во время своего основного выступления на мероприятии SK hynix сделала совместное заявление с Solidigm.

³ Charge Trap Flash (CTF): в отличие от плавающих затворов, в которых электрические заряды накапливаются в проводниках, CTF накапливает электрические заряды в изоляторах, что устраняет интерференцию между ячейками, повышая производительность чтения и записи и уменьшая площадь ячеек на единицу по сравнению с плавающими технология ворот.

⁴ Пери. Under Cell (PUC): технология, которая максимизирует эффективность производства за счет размещения периферийных цепей под массивом ячеек.

О SK hynix Inc.

SK hynix Inc. со штаб-квартирой в Корее является ведущим мировым поставщиком полупроводников, предлагающим микросхемы динамической памяти с произвольным доступом («DRAM»), микросхемы флэш-памяти («NAND flash») и CMOS. Датчики изображения («CIS») для широкого круга уважаемых клиентов по всему миру. Акции Компании торгуются на Корейской бирже, а акции Глобального депозитария котируются на Люксембургской фондовой бирже.