Энергетической электроники институт – Институт Энергетической Электроники Санкт-Петербург | ЗАО ИЭЭ

Наших молодых специалистов активно привлекают в ведущие российские предприятия концернов Роскосмоса, Минсвязи, Росатома, Минэнерго и других. Наши выпускники работают в крупнейших международных радиоэлектронных компаниях: Intel, Microsoft, Samsung, Siemens, Motorola и многих других. Зарубежным связям способствует возможность студентов получить параллельно дополнительное образование в университетах Германии, Финляндии и др.

Активное участие преподаватели и научные сотрудники ИРЭ принимают в целевых программах минобрнауки, РФФИ и других заинтересованных ведомств. Студенты привлекаются к научным исследованиям по самым интересным направлениям радиотехники, работая на кафедрах или в Особом Конструкторском Бюро МЭИ, в том числе на подмосковном Центре дальней космической связи. Именно на этом Центре с участием студентов МЭИ (теперь профессоров факультета) организована первая космическая телевизионная передача Ю.А. Гагарина из космоса, сфотографирована обратная сторона Луны, получены радиолокационные фотографии поверхности Венеры. В последние годы студенты РТФ занимают призовые места на олимпиадах и конференциях, а в 2011 году студент РТФ МЭИ был единственным студентом России, получившим американский грант от Американского Института электро- и радиоинженеров.

Ученые ИРЭ принимают участие в ряде международных проектов. Партнерами выступают представители Японии, Франции, США, Греции, Черногории и др.

mpei.ru

Энергетический институт – это… Что такое Энергетический институт?

Координаты: 55°45′17″ с. ш. 37°42′29″ в. д. / 55.754722° с. ш. 37.708056° в. д. (G)55.754722, 37.708056

10i5.ru

Сайт ИЭЭ РАН

Размещено: 2019-06-06 в 13:00

1. Для участия в конкурсе на лучшее научное шоу и лучший научный ролик или фотографию в рамках проведения ВСЕРОССИЙСКОГО ФЕСТИВАЛЯ НАУКИ “NAUKA0+” 2019, проводимого с целью популяризации науки, приглашаются студенты, аспиранты и научные сотрудники ИЭЭ РАН.  Подробная информация по ссылке. Письмо Минобрнауки России.
2. Российский фонд фундаментальных исследований открыл прием заявок на конкурс проектов фундаментальных научных исследований. Заявки принимаются до 4 сентября 2019 года. Объявление на сайте РФФИ.

Размещено: 2019-05-27 в 16:32

В 19-м выпуске 2019г. Applied Physics Letters (APL) опубликована статья к.т.н. зав.лаборатории 0017 (Диагностика плазмы) М.Э. Пинчука, О.М. Степановой, А.М. Астафьева, А.В. Лазукина, Zhaoquan Chen «Stepwise propagation of a guided streamer along a DBD helium plasma jet fed by biased oscillating voltage» https://doi.org/10.1063/1.5099968.

Основные исследования по теме работы были проведены в лаборатории диагностики плазмы ИЭЭ РАН. В работе описано новое физическое явление ступенчатого прорастания направленного стримера при формировании плазменной струй на основе барьерного разряда в гелии. Предлагается модель, объясняющая такое поведения стримера. Что наиболее важно, в механизме распространения волны ионизации в струе гелия заложена возможность управления ступенчатым распространением гидированного стримера.

(читать дальше…)

Размещено: 2019-05-27 в 16:28

Дудник Юлия Дмитриевна – м.н.с. лаборатории 0014 – лаборатории перспективных конструкций плазмодинамических и электродных систем (Санкт-Петербург) успешно представила доклад «Плазменный способ получения оксидных наночастиц» на 14-й Международной конференции «ПЛЕНКИ И ПОКРЫТИЯ – 2019» , проходившей с 14 по 16 мая 2019 г. в СПбГЭТУ «ЛЭТИ», Санкт-Петербург, Россия.

Размещено: 2019-05-27 в 11:59

Согласно государственному заданию номер 075-00796-19-00 на 2019 год и на плановый период 2020 и 2021 годов лаборатории ИЭЭ РАН приступили к выполнению НИР по следующим направлениям:

1. Фундаментальные исследования накопителей энергии для Интернет-энергии и импульсных нагрузок с изучением поведения вещества в импульсных разрядах.
2. Исследования процессов конверсии органических веществ термической плазмой.
3. Исследование и разработка плазменной техники для перспективных технологий на основе низкотемпературной (термической) плазмы. Исследование физических процессов в электродуговых системах генерирования плазмы.
4. Исследование свойств и процессов лазерного микро- и наноструктурирования поверхности твердых тел, в том числе разработка современных высоковольтных импульсных электрофизических систем.

 
Текст (075-00796-19-00)

Размещено: 2019-05-17 в 14:30

23 мая 2019 года в 15.00 состоится заседание ЗАСЕДАНИЕ УЧЕНОГО СОВЕТА ИНСТИТУТА ЭЛЕКТРОФИЗИКИ И ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ РАН ДВОРЦОВАЯ НАБ., Д.18

Повестка дня:

1. Выдвижение и поддержка кандидатов на предстоящих выборах академиков и членов-корреспондентов РАН 2019 года.
2. Разное.

 
Явка всех научных сотрудников обязательна.

Размещено: 2019-05-16 в 11:41

Уважаемые коллеги!

В связи с необходимостью централизации рабочей переписки на нашем домене (@ieeras.ru) создаются почтовые ящики подразделений и сотрудников.

Вид имени почтового ящика сотрудника:

“иофамилия“@ieeras.ru (например [email protected])

Имена ящиков для подразделений.
Для лабораторий spb.lab.”номер“@ieeras.ru (например для лаб. 15.Лаборатория плазменной термодинамики – [email protected]). Письма пришедшие на общий ящик подразделения, будут автоматически разосланы все сотрудникам, с пометкой (например “Для лаб. 015”).
Общий адрес [email protected], вместо [email protected]. Бухгалтерия [email protected], отдел кадров [email protected], и т.д.

Доступ к почте будет через web интерфейс mail.ru и с помощью почтовых программ. Возможна интеграция с gmail или yandex.

Жду ваших пожеланий и предложений [email protected]

Инструкция по входу и настройке.

Размещено: 2019-05-15 в 14:14

Указом Президента РФ №199 от 29.04.2019, академик Хомич В.Ю. награжден орденом “За заслуги перед Отечеством” III степени за большой вклад в развитие науки и многолетнюю добросовестную работу.

Текст указа

Размещено: 2019-05-14 в 16:26

Во исполнение подпункта «в» пункта 1 Перечня поручений Президента Российской Федерации по итогам заседания Совета при Президенте Российской Федерации по науке и образованию от 27 ноября 2018 г. по обеспечению совершенствования системы мер поддержки, оказываемой молодым исследователям, с целью привлечения зарубежных молодых ученых в российские научные и образовательные организации за счет зарубежных стипендий и грантов осуществляется формирование базы российских научных руководителей на платформе stipot.com.

(читать дальше…)

Размещено: 2019-04-30 в 12:18

Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого совместно с журналами «Nature Communications», «Nature Physics» и «Nature Reviews Physics» приглашает Вас на международную конференцию «Достижения и применения физики плазмы AAPP 2019» (AAPP-2019).

Сайт конференции

Размещено: 2019-04-30 в 10:48

Поздравляем стажера-исследователя ИЭЭ РАН, студента физического факультета МГУ Кашина Артема Вячеславовича с получением диплома 2-й степени за постерный доклад «Электроспиннинг высокоориентированных материалов на основе поликапролактона», представленный на XXVI Международной научной конференции студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2019», проходившей с 8 по 12 апреля в Москве.

Сайт конференции

ieeras.ru

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова обеспечивает подготовку специалистов в области радиоэлектроники. Основная задача ИРЭ состоит в подготовке кадров, способных решать актуальные проблемы современной радиоэлектроники в широком круге задач. Преподаватели, научные сотрудники и аспиранты ИРЭ активно проводят как фундаментальные так и прикладные научные исследования.

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова образован в 2002 г. в его состав вошли радиотехнический факультет (РТФ) и факультет электронной техники (ЭТФ). В 1938 году специальность Радиотехника была выделена в самостоятельный факультет, вначале названный Спецфакультетом, а в 1940 году переименованный в Радиотехнический. В 1958 году в МЭИ был образован факультет электронной техники при делении факультета вакуумных приборов (ЭВПФ) на ЭТФ и факультет автоматики и вычислительной техники (АВТФ).

На этапе бакалавриата радиотехнический факультет ИРЭ проводит обучение по направлению «Радиотехника» (шифр 11.03.01) для профилей “Радиотехника, средства передачи, приема и обработки сигналов”; “Бытовая радиоэлектронная аппаратура”; “Радиоэлектронные системы”; “Радиофизика”. По направлению “Биотехнические системы и технологии” (шифр 12.03.04) на радиотехническом факультете ведется обучение по профилю “Биомедицинские медицинские аппараты и системы”. Факультет электронной техники готовит специалистов по направлению «Электроника и наноэлектроника” (шифр 11.03.04) по профилям “Промышленная электроника”; “Микроэлеткроника и твердотельная электроника”; “Светотехника и источники света”; “Квантовая электроника”. РТФ и ЭТФ проводят обучение в магистратуре по направлениям «Радиотехника» и «Электроника и наноэлектроника». На радиотехническом факультете проводится также подготовка специалистов по направлению «Радиоэлектронные системы и комплексы» (шифр 11.05.01) для специализаций “Антенные системы и устройства”; “Радиолокационные системы и комплексы”; “Радионавигационные системы и комплексы” и “Радиоэлектронные системы передачи информации». В разные годы в ИРЭ работали видные ученые: академики СССР В. А. Котельников, Ю. Б. Кобзарев, А. Ф. Богомолов, член-корреспондент АН СССР В. И. Сифоров, профессора Г. В. Брауде, Е. Н. Васильев, С. И. Евтянов, И.Л. Каганов, А. Н. Казанцев, И.В. Лебедев, В.В. Мешков, Г. Т. Марков, Г. М. Уткин, В.А. Фабрикант, К.В. Шалимова и многие другие. Наши выпускники сейчас занимают должности директоров, главных инженеров и главных конструкторов ведущих НИИ, промышленных предприятий и коммерческих структур в области радиоэлектроники в России и за рубежом. Среди наших выпускников множество известных людей реализовавших себя как высококлассные специалисты в смежных и даже совершенно не профильных областях: в политике, государственном управлении и бизнесе: Г. Боос, С. Генералов, Н. Гончар, В. Матюхин, Э. Памфилова, космонавт Н. Н. Рукавишников и многие, многие другие.

Наших молодых специалистов активно привлекают в ведущие российские предприятия концернов Роскосмоса, Минсвязи, Росатома, Минэнерго и других. Наши выпускники работают в крупнейших международных радиоэлектронных компаниях: Intel, Microsoft, Samsung, Siemens, Motorola и многих других. Зарубежным связям способствует возможность студентов получить параллельно дополнительное образование в университетах Германии, Финляндии и др.

Активное участие преподаватели и научные сотрудники ИРЭ принимают в целевых программах минобрнауки, РФФИ и других заинтересованных ведомств. Студенты привлекаются к научным исследованиям по самым интересным направлениям радиотехники, работая на кафедрах или в Особом Конструкторском Бюро МЭИ, в том числе на подмосковном Центре дальней космической связи. Именно на этом Центре с участием студентов МЭИ (теперь профессоров факультета) организована первая космическая телевизионная передача Ю.А. Гагарина из космоса, сфотографирована обратная сторона Луны, получены радиолокационные фотографии поверхности Венеры. В последние годы студенты РТФ занимают призовые места на олимпиадах и конференциях, а в 2011 году студент РТФ МЭИ был единственным студентом России, получившим американский грант от Американского Института электро- и радиоинженеров.

Ученые ИРЭ принимают участие в ряде международных проектов. Партнерами выступают представители Японии, Франции, США, Греции, Черногории и др.

mpei.ru

Общая информация

КАФЕДРА «ПРОМЫШЛЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА И СВЕТОТЕХНИКА»

Электроника сегодня – это самая бурно развивающаяся отрасль науки и техники. Область, посвященная применению электронных приборов и технических устройств на их основе в промышленности, называется Промышленной электроникой. Современный этап развития техники характеризуется все более возрастающим проникновением электроники во все сферы жизни и деятельности людей.

Производственная деятельность выпускников профиля «Промышленная электроника и светотехника» связана с разработкой и обслуживанием силовых и управляющих электронных устройств промышленной, офисной и бытовой техники, а также встраиваемых систем на базе микроконтроллеров.

Качественные базовые знания в области современной электронной, промышленной, радиоэлектронной, компьютерной и микропроцессорной техники, умение работать с системами электронного проектирования и управления, со средами проектирования управляющих микрокопроцессорных систем обеспечивают устойчивый спрос на выпускников профиля «Промышленная электроника» как на ведущих промышленных предприятиях, так и в перспективных организациях малого и среднего бизнеса.

Кафедра «Промышленная электроника и светотехника» была создана в Казанском филиале Московского энергетического института (ныне Казанский государственный энергетический университет) в 1987 году.

Кафедра обеспечивает подготовку бакалавров и магистров по направлению подготовки «Электроника и наноэлектроника» по профилю «Промышленная электроника» на базе Института электроэнергетики и электроники. Набор осуществляется по очной, очно-заочной и заочной формам обучения. Желающие по окончании магистратуры могут продолжить обучение в очной или заочной аспирантуре по специальностям «Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий» и «Физика полупроводников».

Кафедра с 1999 года имеет филиал в Казанском физико-техническом институте Казанского научного центра Российской Академии наук, в котором читается ряд теоретических курсов, проводятся лабораторные занятия студентов, ведутся научные исследования преподавателей и аспирантов кафедры совместно с сотрудниками физико-технического института.

В процессе обучения студенты получают фундаментальные знания по математике, физике, информатике, программированию, математическому моделированию, теоретическим основам электротехники; приобретают профессиональные знания по дисциплинам «Материалы электронной техники», «Физические основы электроники», «Базовые компоненты электронных схем», «Наноэлектроника», «Информационная электроника», «Схемотехника», «Электронные цепи и методы их расчета», «Методы анализа и расчета электронных схем», «Основы проектирования электронной компонентной базы», «Основы технологии электронной компонентной базы», «Основы преобразовательной техники», «Энергетическая электроника», «Автономные преобразователи», «Электронные промышленные устройства», «Микроконтроллеры», «Датчики первичной информации», «Системы отображения информации», «Магнитные элементы электронных устройств», «Оптоэлектроника».

При обучении в магистратуре студенты профиля «Промышленная электроника» углубленно изучают дисциплины «Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники», «Применение наноэлектроники в электроэнергетике», «Компьютерные технологии в научных исследованиях», «Отладочные средства микропроцессорных устройств», «Встраиваемые системы», «Акустоэлектроника», «Квантовая электроника», «Физика сверхпроводимости», «Физика металлов, полупроводников и диэлектриков».

При изучении специальных дисциплин кафедры широко используются программные пакеты математического и схемотехнического моделирования Multisim, Micro-CAP, Simulink MATLAB, интегрированные среды приложений Win IDE, Code Warrior, AVR Studio, Debug32.

На кафедре «Промышленная электроника и светотехника» внедрены в обучение аппаратно-программные комплексы компании “National Instruments” и технология виртуальных приборов на основе среды графического программирования LabVIEW. Поэтапный процесс обучения позволяет студентам наиболее эффективно усваивать знания. На первом этапе студенты третьего курса начинают знакомиться со средой графического программирования LabVIEW. На втором этапе студенты изучают программу виртуального моделирования электронных схем Multisim, где могут также исследовать характеристики устройств, разработанных в LabVIEW. На третьем этапе студенты изучают и разрабатывают реальные приборы и устройства.

В рамках выполнения выпускных квалификационных работ студентами под руководством преподавателей кафедры разработаны устройства для изучения современных каналов связи TCP/IP и радиоканалов, роботизированная система удаленного присутствия, реализована система ориентации в пространстве на основе акселерометров и глобальной спутниковой системы навигации GPS.

Наряду с преподаванием дисциплин студентам профиля «Промышленная электроника» кафедра ведет большую работу по обучению студентов других профилей основам электроники, микропроцессорной и информационно-измерительной техники.

Необходимый уровень преподавания обеспечивается высокой квалификацией преподавателей кафедры. Занятия проводят 5 профессоров (докторов наук), 7 доцентов (кандидатов наук), молодые преподаватели, совмещающие свою профессиональную деятельность с обучением в аспирантуре. Среди преподавателей кафедры – Лауреат Государственной премии Республики Татарстан в области науки и техники, заслуженные деятели науки Российской Федерации и Республики Татарстан, заслуженные энергетики Республики Татарстан, почетные работники Высшей школы Российской Федерации.

Заведующий кафедрой, Заслуженный деятель науки Республики Татарстан, доктор физико-математических наук, профессор

Голенищев-Кутузов Александр Вадимович

Коллектив кафедры

в нижнем ряду (слева направо): В.А. Голенищев-Кутузов, Л.В. Ахметвалеева, А.В. Голенищев-Кутузов, Г.Р. Еникеева, В.А. Уланов; в среднем ряду: М.Ф. Садыков, А.Т. Хуснутдинова, В.И. Кротов, Н.Л. Батанова, Е.В. Иссина; в верхнем ряду: А.В. Немтарев, Р.И. Калимуллин, Р.Л. Хасанов, Л.Г. Кулагина, А.Г. Варламов, А.А. Потапов.

Научные исследования кафедры тесно связаны с направлением подготовки специалистов всех уровней – от бакалавров до докторов наук в области электроники. Тематика исследований сосредоточена на двух основных направлениях – на изучении перспективных диэлектрических и полупроводниковых материалов и разработке новых приборов и методов для электроники и высоковольтной энергетики, а также на повышении качества профессиональной подготовки бакалавров и магистров в области энергетики.

Основой первого направления является комплексное исследование электрофизических процессов. Особое внимание обращено на спектр дефектов, начиная с наноразмерных, и их влияние на нормальное функционирование изделий электроники и электроэнергетики. Для целенаправленной подготовки бакалавров и магистров на кафедре создан научно-исследовательский центр комплексного исследования различных диэлектрических и полупроводниковых материалов (научные руководители профессоры Голенищев-Кутузов А.В., Голенищев-Кутузов В.А., Уланов В.А. и Калимуллин Р.И.), в котором используются установки по изучению материалов электромагнитным, акустическим, оптоакустическим и другими методами.

   Профессор А.В. Голенищев-Кутузов и профессор Р.И. Калимуллин в процессе научной работы

Профессор А.В. Голенищев-Кутузов и аспирант Черномашенцев А.Г.

Второй научно-учебный центр по изучению наноструктурных особенностей перспективных материалов для акусто- и оптоэлектроники создан в филиале кафедры в Казанском физико-техническом институте Казанского научного центра РАН (научные руководители профессоры Тарасов В.Ф., Шакирзянов М.М., доцент Садыков М.Ф.). Особенностью работы этого центра является комплексное использование методов электронного парамагнитного резонанса, высокочастотной акустической и оптической спектроскопии, сильных магнитных полей и низких температур, атомно-силовой микроскопии.

Доцент М.Ф. Садыков, с.н.с. В.И. Мигачев

профессор В.А.Уланов, инженер

А.В. Уланов при работе на созданных ими установках

Под руководством доцента Ахметвалеевой Л.В. на кафедре проводится научно-исследовательская работа по проблемам проектирования, создания и внедрения в учебный процесс новых компьютерных информационных технологий и инновационных решений, встраиваемых приложений на основе современной микропроцессорной техники.

Доцент Л.В. Ахметвалеева проводит занятия со студентами

Постоянно развивается студенческая наука. Магистранты кафедры становятся лауреатами республиканских и всероссийских конкурсов за лучшие научно-исследовательские работы на присуждение именных стипендий Президента и Правительства Российской Федерации, Академии наук Республики Татарстан, мэра г. Казани, регулярно участвуют в ежегодных аспирантско-магистерских научных семинарах КГЭУ, посвященных Дню энергетика, а также ежегодной Международной молодежной научной конференции «Тинчуринские чтения». Традиционно делегации студентов кафедры участвует в ежегодных международных научно-технических конференциях, проводимых в МЭИ, Санкт-Петербургском политехническом университете, Томском политехническом университете, Чувашском государственном университете и др.

Результаты научных исследований сотрудников и студентов кафедры систематически отражаются в научных публикациях – монографиях, статьях в ведущих отечественных и зарубежных журналах, материалах докладов на международных и всероссийских конференциях, поддерживаются грантами Российской Федерации и Республики Татарстан. Они широко используются при написании учебных пособий и курсов лекций.

Кафедра постоянно развивается и совершенствуется. В учебный процесс вводятся новые лабораторные стенды, основанные на современных информационных технологиях и новейших достижениях микропроцессорной и микроконтроллерной техники отечественных и зарубежных производителей. Используется учебно-лабораторные стенды и аппаратные комплексы по материалам и элементам электронной техники, по энергетической электронике, лазерной технике и оптоэлектронике, акустооптический комплекс контроля материалов и изделий энергетики и электроники, комплекс диагностики высоковольтного энергетического оборудования; учебно-исследовательский комплекс по изучению солнечной электроэнергетики.

Студенты кафедры в процессе обучения проходят практику на различных предприятиях г. Казани и республики Татарстан: ОАО «Казаньоргсинтез», ТЭЦ-1, ТЭЦ-2, ТЭЦ-3, ОАО «Завод Элекон», Елабужский станкоиструментальный завод, Заинская ГРЭС, Набережно-Челнинская ГЭС, Зеленодольская РЭС, Вертолетный завод, КМПО и ряде других.

Выпускники кафедры всегда востребованы промышленными предприятиями, организациями, фирмами. Немало их работает на ведущих должностях в подразделениях различных энергетических предприятий, на ОАО «Казаньоргсинтез», Казанском моторостроительном производственном объединении, ОАО «Завод Элекон» и т.д.

kgeu.ru